Welcome to ichome.com!

logo

RF1S23N06LESM

RF1S23N06LESM

RF1S23N06LESM

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RF1S23N06LESM 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.59000 $0.59
500 $0.5841 $292.05
1000 $0.5782 $578.2
1500 $0.5723 $858.45
2000 $0.5664 $1132.8
2500 $0.5605 $1401.25
5549 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 23A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs -
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263AB
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDF 로딩에 실패했습니다. 새 창에서 열어서 액세스해보세요. [열려 있는], 또는 클릭하여 돌아가세요

관련 부품 번호

DMN3070SSN-7
IRFB4510PBF
SIS128LDN-T1-GE3
STS11NF30L
STS11NF30L
$0 $/조각
AOTF15S60L
PJD60N04_L2_00001
DMN53D0L-7
IRFH8321TRPBF
NTK3134NT1G
NTK3134NT1G
$0 $/조각
SQ2361ES-T1_BE3

전자 분야에서 당신의 신뢰할 수 있는 파트너

귀하의 기대를 뛰어넘는 데 전념합니다. IChome: 전자 산업을 위해 재정의된 고객 서비스.