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RFD8P06LE

RFD8P06LE

RFD8P06LE

P-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RFD8P06LE 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
7200 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 5V
rds on (max) @ id, vgs 300mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 675 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 48W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I-PAK
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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