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RFL1N15

RFL1N15

RFL1N15

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFL1N15 데이터 시트

compliant

RFL1N15 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
4903 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 200 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 8.33W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-205AF (TO-39)
패키지 / 케이스 TO-205AF Metal Can
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