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RFP10N15L

RFP10N15L

RFP10N15L

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RFP10N15L 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
36313 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V
rds on (max) @ id, vgs 300mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1200 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 60W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3
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