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SI4920DY

SI4920DY

SI4920DY

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

SI4920DY 데이터 시트

compliant

SI4920DY 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
1570 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 13nC @ 5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 830pF @ 15V
전력 - 최대 900mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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