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SI9926DY

SI9926DY

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N-CHANNEL POWER MOSFET

SI9926DY 데이터 시트

compliant

SI9926DY 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
4791 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.5A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 700pF @ 10V
전력 - 최대 900mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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