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2N7002H-13

2N7002H-13

2N7002H-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

비준수

2N7002H-13 가격 및 주문

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10,000 $0.03933 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 170mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V
rds on (max) @ id, vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.35 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 26 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 370mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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