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DGD2103S8-13

DGD2103S8-13

DGD2103S8-13

Diodes Incorporated

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

비준수

DGD2103S8-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
2450 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
구동 구성 Half-Bridge
채널 유형 Independent
운전자 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10V ~ 20V
논리 전압 - vil, vih 0.8V, 2.5V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 290mA, 600mA
입력 유형 Inverting, Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 600 V
상승/하강 시간(일반) 100ns, 35ns
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SO
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