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DGD2118S8-13

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Diodes Incorporated

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

비준수

DGD2118S8-13 가격 및 주문

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2,500 $1.11600 -
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이름
제품 상태 Active
구동 구성 High-Side
채널 유형 Single
운전자 수 1
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10V ~ 20V
논리 전압 - vil, vih 6V, 9.5V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 290mA, 600mA
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 600 V
상승/하강 시간(일반) 75ns, 35ns
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SO
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