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DMC2025UFDB-7

DMC2025UFDB-7

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

비준수

DMC2025UFDB-7 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel Complementary
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Ta), 3.5A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
전력 - 최대 700mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B)
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