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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 30V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V |
| vgs(th) (최대) @ id | 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 11.3nC @ 10V, 8.6nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 395pF @ 15V, 324pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 830mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급업체 장치 패키지 | TSOT-26 |
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