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DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

compliant

DMG1012UW-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.06828 -
6,000 $0.06002 -
15,000 $0.05177 -
30,000 $0.04902 -
75,000 $0.04627 -
150,000 $0.04077 -
673323 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.74 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±6V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 60.67 pF @ 16 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 290mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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