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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

비준수

DMG1016UDW-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.09600 -
6,000 $0.08720 -
15,000 $0.07840 -
30,000 $0.07400 -
75,000 $0.06652 -
150,000 $0.06432 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.07A, 845mA
rds on (max) @ id, vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 60.67pF @ 10V
전력 - 최대 330mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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