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DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

비준수

DMG6898LSDQ-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.40388 -
5,000 $0.37913 -
12,500 $0.36675 -
25,000 $0.36000 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.5A
rds on (max) @ id, vgs 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1149pF @ 10V
전력 - 최대 1.28W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SO
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