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DMJ70H1D3SK3-13

DMJ70H1D3SK3-13

DMJ70H1D3SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&

compliant

DMJ70H1D3SK3-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.56780 $0.5678
500 $0.562122 $281.061
1000 $0.556444 $556.444
1500 $0.550766 $826.149
2000 $0.545088 $1090.176
2500 $0.53941 $1348.525
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 700 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 264 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 57W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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