Welcome to ichome.com!

logo

DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 700V 7A TO251

비준수

DMJ70H900HJ3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
75 $1.44760 $108.57
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 700 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18.4 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 603 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 68W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-251
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
PDF 로딩에 실패했습니다. 새 창에서 열어서 액세스해보세요. [열려 있는], 또는 클릭하여 돌아가세요

관련 부품 번호

NTBL050N65S3H
NTBL050N65S3H
$0 $/조각
SQ3461EV-T1_GE3
DMP2035UFDF-7
AOWF15S65
FDB8876
NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1
$0 $/조각
RS1G150MNTB
STD16NF06LT4
IRF40DM229

전자 분야에서 당신의 신뢰할 수 있는 파트너

귀하의 기대를 뛰어넘는 데 전념합니다. IChome: 전자 산업을 위해 재정의된 고객 서비스.