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DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

비준수

DMN10H120SE-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.25356 -
5,000 $0.23891 -
12,500 $0.22427 -
25,000 $0.21402 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 549 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-223-3
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
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