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DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

compliant

DMN10H120SFG-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.29169 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10.6 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 549 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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