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DMN10H220LFVW-7

DMN10H220LFVW-7

DMN10H220LFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

compliant

DMN10H220LFVW-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.15137 $0.15137
500 $0.1498563 $74.92815
1000 $0.1483426 $148.3426
1500 $0.1468289 $220.24335
2000 $0.1453152 $290.6304
2500 $0.1438015 $359.50375
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 11A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 222mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 6.7 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 366 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.4W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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