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DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

compliant

DMN2005UFGQ-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.43582 $0.43582
500 $0.4314618 $215.7309
1000 $0.4271036 $427.1036
1500 $0.4227454 $634.1181
2000 $0.4183872 $836.7744
2500 $0.414029 $1035.0725
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18A (Ta), 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 164 nC @ 10 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6495 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.05W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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