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DMN2014LHAB-13

DMN2014LHAB-13

DMN2014LHAB-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6

compliant

DMN2014LHAB-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.17685 $0.17685
500 $0.1750815 $87.54075
1000 $0.173313 $173.313
1500 $0.1715445 $257.31675
2000 $0.169776 $339.552
2500 $0.1680075 $420.01875
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1550pF @ 10V
전력 - 최대 800mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-UFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 U-DFN2030-6 (Type B)
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