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DMN2015UFDE-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

compliant

DMN2015UFDE-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.21527 -
15 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 45.6 nC @ 10 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1779 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 660mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type E)
패키지 / 케이스 6-PowerUDFN
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