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DMN2026UVT-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

비준수

DMN2026UVT-7 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18.4 nC @ 8 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 887 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.15W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TSOT-26
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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