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DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

비준수

DMN2029UVT-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.12396 $0.12396
500 $0.1227204 $61.3602
1000 $0.1214808 $121.4808
1500 $0.1202412 $180.3618
2000 $0.1190016 $238.0032
2500 $0.117762 $294.405
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 -
드레인-소스 전압(vdss) -
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TSOT-26
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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