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DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN

SOT-23

비준수

DMN2600UFB-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.07098 -
6,000 $0.06240 -
15,000 $0.05382 -
30,000 $0.05096 -
75,000 $0.04810 -
150,000 $0.04238 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 25 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.85 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 70.13 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 540mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 X1-DFN1006-3
패키지 / 케이스 3-UFDFN
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