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DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

비준수

DMN26D0UT-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.06552 -
6,000 $0.05760 -
15,000 $0.04968 -
30,000 $0.04704 -
75,000 $0.04440 -
150,000 $0.03912 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 230mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 14.1 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 300mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-523
패키지 / 케이스 SOT-523
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