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DMN3009LFVWQ-13

DMN3009LFVWQ-13

DMN3009LFVWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

compliant

DMN3009LFVWQ-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.42196 $0.42196
500 $0.4177404 $208.8702
1000 $0.4135208 $413.5208
1500 $0.4093012 $613.9518
2000 $0.4050816 $810.1632
2500 $0.400862 $1002.155
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2000 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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