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DMN3029LFG-13

DMN3029LFG-13

DMN3029LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

compliant

DMN3029LFG-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.16658 $0.16658
500 $0.1649142 $82.4571
1000 $0.1632484 $163.2484
1500 $0.1615826 $242.3739
2000 $0.1599168 $319.8336
2500 $0.158251 $395.6275
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 18.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.8V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 11.3 nC @ 10 V
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 580 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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