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DMN33D8LDWQ-13

DMN33D8LDWQ-13

DMN33D8LDWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R

compliant

DMN33D8LDWQ-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.07374 $0.07374
500 $0.0730026 $36.5013
1000 $0.0722652 $72.2652
1500 $0.0715278 $107.2917
2000 $0.0707904 $141.5808
2500 $0.070053 $175.1325
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 250mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 100µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1.23nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 48pF @ 5V
전력 - 최대 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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