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DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

비준수

DMN63D8LDW-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.04413 $0.04413
500 $0.0436887 $21.84435
1000 $0.0432474 $43.2474
1500 $0.0428061 $64.20915
2000 $0.0423648 $84.7296
2500 $0.0419235 $104.80875
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 220mA
rds on (max) @ id, vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.87nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 22pF @ 25V
전력 - 최대 300mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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