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DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808

비준수

DMP1100UCB4-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.15881 -
6,000 $0.14919 -
15,000 $0.13956 -
30,000 $0.12801 -
75,000 $0.12320 -
5570 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 12 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.3V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 83mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 800mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 820 pF @ 6 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 670mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 X2-WLB0808-4
패키지 / 케이스 4-XFBGA, WLBGA
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