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DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

비준수

DMT10H015LCG-13 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.4A (Ta), 34A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 33.3 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1871 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 V-DFN3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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