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DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

compliant

DMT10H017LPD-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.82128 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 100V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 54.7A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 28.6nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1986pF @ 50V
전력 - 최대 2.2W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지 PowerDI5060-8
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