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DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

compliant

DMT10H032LFVW-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.39948 $0.39948
500 $0.3954852 $197.7426
1000 $0.3914904 $391.4904
1500 $0.3874956 $581.2434
2000 $0.3835008 $767.0016
2500 $0.379506 $948.765
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 11.9 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 683 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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