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DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202

compliant

DMT12H060LFDF-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.25121 $0.25121
500 $0.2486979 $124.34895
1000 $0.2461858 $246.1858
1500 $0.2436737 $365.51055
2000 $0.2411616 $482.3232
2500 $0.2386495 $596.62375
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 115 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.8 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 475 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
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