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DMT3003LFGQ-7

DMT3003LFGQ-7

DMT3003LFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

compliant

DMT3003LFGQ-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.40256 $0.40256
500 $0.3985344 $199.2672
1000 $0.3945088 $394.5088
1500 $0.3904832 $585.7248
2000 $0.3864576 $772.9152
2500 $0.382432 $956.08
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 22A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2370 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.4W (Ta), 62W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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