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DMT3009LFVWQ-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

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DMT3009LFVWQ-13 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A (Ta), 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 3.8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 823 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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