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DMT3009UFVW-7

DMT3009UFVW-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI

compliant

DMT3009UFVW-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.18909 $0.18909
500 $0.1871991 $93.59955
1000 $0.1853082 $185.3082
1500 $0.1834173 $275.12595
2000 $0.1815264 $363.0528
2500 $0.1796355 $449.08875
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10.6A (Ta), 30A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.8V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 894 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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