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DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

compliant

DMT3011LDT-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.40388 -
6,000 $0.37913 -
15,000 $0.36675 -
30,000 $0.36000 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A, 10.7A
rds on (max) @ id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 641pF @ 15V
전력 - 최대 1.9W
작동 온도 -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 V-DFN3030-8 (Type K)
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