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DMT32M4LPSW-13

DMT32M4LPSW-13

DMT32M4LPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

비준수

DMT32M4LPSW-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.51621 $0.51621
500 $0.5110479 $255.52395
1000 $0.5058858 $505.8858
1500 $0.5007237 $751.08555
2000 $0.4955616 $991.1232
2500 $0.4903995 $1225.99875
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3944 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지 PowerDI5060-8 (Type UX)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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