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DMT67M8LK3-13

DMT67M8LK3-13

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R

비준수

DMT67M8LK3-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.39460 $0.3946
500 $0.390654 $195.327
1000 $0.386708 $386.708
1500 $0.382762 $574.143
2000 $0.378816 $757.632
2500 $0.37487 $937.175
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 87A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 37.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2130 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.1W (Ta), 89.3W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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