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DMT8008LK3-13

DMT8008LK3-13

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

비준수

DMT8008LK3-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.58212 $0.58212
500 $0.5762988 $288.1494
1000 $0.5704776 $570.4776
1500 $0.5646564 $846.9846
2000 $0.5588352 $1117.6704
2500 $0.553014 $1382.535
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 95A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 7mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.8V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 41.2 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2345 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.7W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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