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DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 80V PWRDI3333

compliant

DMT8012LFG-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.42643 $0.42643
500 $0.4221657 $211.08285
1000 $0.4179014 $417.9014
1500 $0.4136371 $620.45565
2000 $0.4093728 $818.7456
2500 $0.4051085 $1012.77125
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.5A (Ta), 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1949 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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