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DMTH8008LFGQ-7

DMTH8008LFGQ-7

DMTH8008LFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

비준수

DMTH8008LFGQ-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.61539 $0.61539
500 $0.6092361 $304.61805
1000 $0.6030822 $603.0822
1500 $0.5969283 $895.39245
2000 $0.5907744 $1181.5488
2500 $0.5846205 $1461.55125
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 17A (Ta), 70A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 37.7 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2254 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.2W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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