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HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7

Diodes Incorporated

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

compliant

HBDM60V600W-7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.11595 -
6,000 $0.10965 -
15,000 $0.10335 -
30,000 $0.09600 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN, PNP
전류-수집기(ic) (최대) 500mA, 600mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 65V, 60V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단(최대) 100nA
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
전력 - 최대 200mW
주파수 - 전환 100MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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