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ZVNL110GTA

ZVNL110GTA

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

compliant

ZVNL110GTA 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $0.44550 -
2,000 $0.41580 -
5,000 $0.39501 -
10,000 $0.38016 -
25,000 $0.37800 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 600mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 75 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-223-3
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
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