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ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

compliant

ZXMN10A25GTA 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $0.56760 -
2,000 $0.52976 -
5,000 $0.50327 -
10,000 $0.48435 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 859 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-223-3
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
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