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ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

compliant

ZXMN10B08E6QTA 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.39492 $0.39492
500 $0.3909708 $195.4854
1000 $0.3870216 $387.0216
1500 $0.3830724 $574.6086
2000 $0.3791232 $758.2464
2500 $0.375174 $937.935
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.3V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9.2 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 497 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-26
패키지 / 케이스 SOT-23-6
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