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EPC2101

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EPC

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

EPC2101 데이터 시트

비준수

EPC2101 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
500 $4.77400 $2387
1,000 $4.31200 -
193 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.5A, 38A
rds on (max) @ id, vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
전력 - 최대 -
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 Die
공급업체 장치 패키지 Die
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