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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인-소스 전압(vdss) | 60V |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 9.5A, 38A |
rds on (max) @ id, vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
vgs(th) (최대) @ id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
전력 - 최대 | - |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | Die |
공급업체 장치 패키지 | Die |
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