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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 100V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 1.7A, 500mA |
| rds on (max) @ id, vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (최대) @ id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| 전력 - 최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 공급업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
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